AT-400原子層沉積是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原了層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。原子層淀積（ALD）是超越CVD的技術(shù)，它是當(dāng)需要準確控制沉積厚度、臺階覆蓋和保形性時應(yīng)選用的新技術(shù)。在ALD進行薄膜生長時，將適當(dāng)?shù)那膀?qū)反應(yīng)氣體以脈沖方式通入反應(yīng)器中，隨后再通入惰性氣體進行清洗，對隨后的每一沉積層都重復(fù)這樣的程序。

 

　　ALD沉積的關(guān)鍵要素是它在沉積過程中具有白限制特性，能在非常寬的1.藝窗口中一個單層、一個單層地重復(fù)生長，所生長的薄膜沒有針孔、均勻、且對薄膜圖形的保形性好。原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)，形成沉積膜的一種方法。當(dāng)前軀體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。

 

　　在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應(yīng)器進行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進行物理吸附，但是要實現(xiàn)在材料表面的化學(xué)吸附必須具有一定的活化能，因此能否實現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。

 

　　AT-400原子層沉積的相關(guān)知識小編就分享到這里，看完本文您就應(yīng)該有了基本的認識和了解相信大家都明白了吧！總的來說，希望對大家有所幫助。請持續(xù)關(guān)注本網(wǎng)站哦！